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三星將通過晶圓代工彌補內(nèi)存降價損失:2020推3nm工

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2018-12-12 08:10

持續(xù)兩年多的DRMA內(nèi)存芯片漲價今年10月份就結(jié)束了,遭受漲價之苦的下游廠商及消費者總算可以舒口氣了,花旗集團日前給出的預(yù)測是明年DRAM內(nèi)存至少會降價30%。
對于DRAM廠商來說,內(nèi)存降價是他們極不愿意看到的,特別是第一大內(nèi)存供應(yīng)商三星,DRAM芯片占了三星公司半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營收的85%。為了彌補DRAM內(nèi)存降價導(dǎo)致的損失,三星明年將加強晶圓代工業(yè)務(wù),雖然在7nm節(jié)點上落后了臺積電,但三星表態(tài)他們的3nm工藝已經(jīng)完成了性能驗證,將于2020年大規(guī)模量產(chǎn)。
在全球晶圓代工市場上,臺積電一家獨大,占據(jù)全球晶圓代工市場大約60%的份額,不僅營收遠超其他廠商,而且在7nm工藝節(jié)點幾乎壟斷了目前所有芯片代工訂單,今年流片了50多個7nm芯片,明年還有100多個7nm及7nm 工藝訂單。
在晶圓代工方面,三星之前也是有過光輝歷史的,在32nm、14nm及10nm節(jié)點率先量產(chǎn),不過7nm節(jié)點上三星進度落后于臺積電,自家的Exynos 9820處理器也沒有趕上7nm EUV工藝,還是用的10nm工藝改進的8nm LPP工藝,數(shù)字上聽起來跟7nm工藝差不多,但實際上并不是麒麟980、蘋果A12及驍龍855同代水平的。
在DRAM內(nèi)存芯片降價的大環(huán)境下,三星在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)上的重點也會傾向于晶圓代工,去年三星晶圓代工業(yè)務(wù)營收46億美元,三星的目標是營收增加一倍到100億美元以上,不過要實現(xiàn)這個目標,三星除了斥資56億美元興建新的晶圓廠之外,還要在技術(shù)上加把勁,趕超臺積電。
三星晶圓代工業(yè)務(wù)負責人Eun Seung Jung本周一在IEDM會議上表示三星已經(jīng)完成了3nm工藝技術(shù)的性能驗證,并且在進一步完善該工藝,目標是在2020年大規(guī)模量產(chǎn)。
在3nm節(jié)點上,臺積電也準備投資6000億新臺幣,也就是200億美元左右,不過臺積電的計劃是2020年建廠,2021年完成設(shè)備安裝,2022年才能量產(chǎn)。如今三星的雄心是在2020年量產(chǎn),這個進度要快得多了。
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